2012年11月12日 –应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新系列的有源扩频时钟产生器集成电路(IC)P3P8203A，管理时钟源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)，为所有依赖于时钟的信号在系统范围内降低EMI。
 
P3P8203A LVCMOS峰值EMI降低时钟产生器的目标应用为图形卡、计算及消费等应用。这器件支持3.3 伏(V)输入电压，频率范围为18 MHz至36 MHz，通过外部电阻模拟控制扩频偏差。系统设计人员选择该外部电阻之不同值在输出提供所想要额度的扩频偏差，便能更灵活地定制应用，使在其应用中取得达致降低EMI的要求。P3P8203A采用8引脚、2 mm x 2mm x 0.8 mm WDFN封装，非常适合用于印制电路板(PCB)空间受限的应用。工作温度范围为0°C至+70°C。
 
P3MS650100H和P3MS650103H LVCMOS峰值EMI降低时钟产生器非常适合用于PCB空间受限的应用，如手机和平板电脑等便携电池供电设备；在这些应用中， EMI/RFI可能是重大挑战，而遵从EMI/RFIF规范是先决条件。这两款通用新扩频型时钟产生器采用尺寸仅为1 mm x
1.2 mm x 0.8 mm的微型4引脚WDFN封装，提供业界最小的独立式有源方案，用于降低时钟源及源自时钟源的下行时钟和数据信号的EMI/RFI。P3MS650100H和P3MS650103H支持1.8 V至3.3 V的输入电压范围，典型扩频偏差为0.45%至1.4%，减小15 MHz至60 MHz频率范围之时钟源的EMI/RFI。工作温度范围为-20ºC至+85ºC。
 
安森美半导体工业及时序产品副总裁Ryan Cameron说：“符合EMI规范同时控制成本及尽量减少PCB占位面积，是便携及计算应用的重大挑战。我们新的EMI降低IC解决这些挑战，提供高性价比的方案，降低时钟源及源自时钟源的下行时钟和数据信号的EMI/RFI。设计工程师在设计周期及早应用这些器件，可无须采用其他方案，也无须加入高成本的额外PCB层或屏蔽来处理EMI/RFI问题。”
 
 
封装及价格
P3P8203A采用8引脚WDFN封装，每批量10,000片的单价为0.44美元。P3MS650100H及P3MS650103H采用4引脚WDFN封装，每批量10,000片的单价为0.24美元。
 
Electronica 2012
欢迎莅临安森美半导体于11月13日至16日德国慕尼黑 Electronica 2012的展台(A5馆225号展台)，观看P3P8203A及用于通信应用的其它电源、散热和信号管理方案的演示。

关于安森美半导体
安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。